本集節目由「 ASML 」贊助播出。
解密全球最大半導體設備商 ASML EUV 極紫外光獨家創新技術，
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＃BePartofProgress ＃Innovation
還記得去年夏天有個新聞是，
路上出現了幾台，價值 ＃台幣三十億 起跳的 ＃白色超長貨櫃車 嗎？
有人說，看到這個標誌的貨車最好閃遠一點，不然一不小心撞到，是絕對賠不起的。
今天就讓我們來聊聊這個神秘貨車背後的故事吧！
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🎥 影片重點節錄 🎥
📍 大約在 1990 年代左右，主流的「 ＃乾式曝光 」微影技術，就已經把光源的波長，從 436 奈米，逐漸縮短到 193 奈米的紫外光。
📍 但如果還想繼續縮短，把更精密的電路放到晶圓上，就會遇到「鏡片」在物理上的極限，這個 193 奈米的關卡，當時大家都認為很難突破。
📍 不過，當時台積電的研發副總經理 ＃林本堅 ，就與荷蘭的 ＃ASML 公司，共同研發出「 ＃浸潤式微影 」技術，把原先 193 奈米設備的鏡頭，浸到水裡。
📍 透過水的折射，巧妙地產生等同於波長 134 奈米的微影效果，成功突破了「 ＃乾式微影 」的極限，讓整個產業的技術又能夠持續演進下去。
📍 這個「浸潤式微影」的技術一直發展下來，最關鍵的突破，就是縮寫是「 ＃EUV 」的「 ＃極紫外光 」技術了。
當年透過水的折射，產生 134 奈米的微影效果，就已經是很了不起的技術成就了，那現在 ASML 精進到甚麼程度的技術了呢？現在就趕快點開下方影片，讓我們一起來看看吧！
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台積電奈米極限 在 [新聞] 突破1奈米製程超越矽極限！台大攜台積電- 看板Tech_Job 的推薦與評價
突破1奈米製程超越矽極限！台大攜台積電、MIT 研發二維材料＋鉍
https://bit.ly/3bCE4Xq
半導體1奈米製程新突破！台大攜手台積電、美國麻省理工學院（MIT），研究發現二維材
料結合半金屬鉍（Bi）能達到極低的電阻，接近量子極限，有助於實現半導體 1 奈米以
下的艱鉅挑戰。
由於，目前Si矽基半導體主流製程，已進展至 5 奈米及 3 奈米節點，晶片單位面積能容
納的電晶體數目，也將逼近半導體主流材料「矽」的物理極限，晶片效能無法再逐年顯著
提升。於是，全球科學界都在積極尋找其他的可能材料；而一直以來科學界都對二維材料
寄予厚望，卻苦於無法解決二維材料高電阻、及低電流等問題。
為此，台大聯手台積電、MIT自2019 年展開跨國研究，首先由 MIT 團隊發現在二維材料
上混搭半金屬鉍的電極，能大幅降低電阻並提高傳輸電流；隨後台積電研究將鉍沉積製程
進行優化，台大團隊並運用氦離子束微影系統（Helium-ion beam lithography）將元件
通道成功縮小至奈米尺寸，終於獲得這項突破性的研究成果。
台大電機系暨光電所吳志毅教授表示，這項研究發現，在使用鉍為接觸電極的關鍵結構後
，二維材料電晶體的效能不但與矽基半導體相當，又有潛力與目前主流的矽基製程技術相
容，實有助於未來突破摩爾定律的極限。雖然，目前還處於研究階段，但該成果能替下世
代晶片提供省電、高速等絕佳條件，未來可望投入人工智慧、電動車、疾病預測等新興科
技的應用。
博士沈品均則指出，過去半導體使用三維材料，物理特性與元件結構發展到 3 奈米節點
，這次研究改用二維材料，厚度可小於 1 奈米（1~3 層原子厚），更逼近固態半導體材
料厚度的極限。而半金屬鉍的材料特性，能消除與二維半導體接面的能量障礙，且半金屬
鉍沉積時，也不會破壞二維材料的原子結構。
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